Грядущие смартфоны флагманского уровня будут обеспечивать скорость чтения и записи информации, сопоставимую с возможностями накопителей ноутбуков. Это станет возможным благодаря новым чипам памяти, которые подготовила к выпуску компания Samsung.
Как отмечает Samsung, анонсированные чипы являются первыми в отрасли устройствами ёмкостью 512 ГБ, соответствующие требованиям спецификации eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.0. Устройства включают по 8 отельных чипов V-NAND 5-го поколения ёмкостью 512 Гбит и высокоскоростной контроллер. Новинка обеспечивает скорость чтения на уровне 2100 МБ/с, что в 2 раза превосходит возможности последних чипов eUFS 2.1, анонсированных компанией Samsung в январе. В то же время скорость записи информации повышена на 50% и достигает 410 МБ/с. Также сообщается о повышении показателя количества операций ввода-вывода в секунду на 36% по сравнению с eUFS 2.1 – до 63 тыс. в случайных операциях чтения и до 68 тыс. в случайных операциях записи. Это существенно превосходит возможности обычных карт памяти microSD (около 100 операций ввода-вывода в секунду).
В этом месяце Samsung приступает к массовому производству чипов eUFS 3.0 ёмкостью 128 ГБ и 512 ГБ. Во второй половине года также планируется начать массовое производство моделей ёмкостью 256 ГБ и 1 ТБ.
